TRANSISTOR 2SK1015
Struttura del transistor: MOSFET
Canale di conduzione: N
Potenza massima dissipabile (Pd): 125
Tensione di blocco drain source (Vds): 450
Massima tensione gate-source (Vgs): 30
Massima corrente continuativa (Id): 18
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Tempo di salita del fronte di corrente (tr): 100
Capacità di uscita (Cd), pf: 270
Resistenza di uscita (Rds), Ohm: 0.45
Pack: TO3P